规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
3,000 |
FET 型
|
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Diode (Isolated) |
漏极至源极电压(VDSS) |
20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
3.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
140 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
4nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
280pF @ 10V |
功率 - 最大 |
800mW |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
6-MLP, Power33 |
供应商器件封装 |
MicroFET 3x3mm |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
6MLP EP |
渠道类型 |
P |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
20 V |
最大连续漏极电流 |
3.5 A |
RDS -于 |
140@4.5V mOhm |
最大门源电压 |
±12 V |
典型导通延迟时间 |
8 ns |
典型上升时间 |
12 ns |
典型关闭延迟时间 |
11 ns |
典型下降时间 |
3.2 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大门源电压 |
±12 |
包装宽度 |
3 |
PCB |
6 |
最大功率耗散 |
2000 |
最大漏源电压 |
20 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
140@4.5V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
MLP EP |
标准包装名称 |
QFN |
最高工作温度 |
150 |
包装长度 |
3 |
引脚数 |
6 |
包装高度 |
0.75(Max) |
最大连续漏极电流 |
3.5 |
封装 |
Tape and Reel |
铅形状 |
No Lead |
FET特点 |
Diode (Isolated) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
3.5A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
1.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
20V |
供应商设备封装 |
MicroFET 3x3mm |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
140 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
FET型 |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
800mW |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
280pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
4nC @ 4.5V |
封装/外壳 |
6-MLP, Power33 |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
系列 |
* |
其他名称 |
FDFM2P110CT |
类别 |
Power MOSFET |
配置 |
Dual Source, Single |
外形尺寸 |
3 x 3 x 0.75mm |
身高 |
0.75mm |
长度 |
3mm |
最大漏源电阻 |
202 mΩ |
最高工作温度 |
+150 °C |
最大功率耗散 |
2 W |
最低工作温度 |
-55 °C |
包装类型 |
MLP |
典型栅极电荷@ VGS |
3.2 nC V @ -4.5 |
典型输入电容@ VDS |
280 pF V @ -10 |
宽度 |
3mm |
工厂包装数量 |
3000 |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
P-Channel |
源极击穿电压 |
+/- 12 V |
连续漏极电流 |
3.5 A |
单位重量 |
0.000317 oz |
RDS(ON) |
140 mOhms |
功率耗散 |
2 W |
安装风格 |
SMD/SMT |
封装/外壳 |
MLP-6 |
上升时间 |
12 ns |
漏源击穿电压 |
- 20 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
3.2 ns |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
3.5A (Ta) |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
- 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage |
12 V |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
通道数 |
2 Channel |
商品名 |
PowerTrench |
晶体管类型 |
2 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
- 3.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance |
140 mOhms |
Pd - Power Dissipation |
2 W |
技术 |
Si |